怎样看懂内存条芯片的参数

M12L64164A是67,108,864位高数据率同步动态RAM组织为4 x1,048,576字由16位。同步设计允许精确的周期控制系统时钟卖闭I/ O交易可能在每个时钟周期使用。工作频率范围，可编程突发长度和可编程延迟允许在同一台设备是有用的各种高带宽，高性能存储中棚裂系统的应用。

M12L64164A特点

JEDEC标准的3.3V电源

LVTTL兼容复用的地址

四大国有商业银行的运作

MRS循环的重和袜点项目地址

- CAS延时（2＆3）

- 突发长度（1，2，4，8及全页）

- 突发类型（顺序及交织）

所有输入进行采样，在积极走出去的边缘系统时钟

DQM掩蔽

自动自刷新

15.6μs刷新间隔

怎样看懂内存条芯片的参数

用末地址减首地址，加1即为十六进制数，再用二进制的权位表示即可，所以根据该题中EPROM芯片的地址范围为：30800H ~ 30FFFH，可得芯片的存储容量为2KB，另外一般EPROM芯片的存储容量为4KB，再由于无地址重叠，所以芯片存储容量为2KB。

U1：0xFE000~0xFFFFF，总计8192字节；

U2：0xFA000~0xFA7FF，总计2048字节的一半，也就是1024字节；

U3的地址范围与U2完全重合，负责2048字节的另一半，也就是睁稿1024字节。

扩展资料：

存储容量是一块存储芯片上所能存储的二进制位数，假设存储芯片的存储单元数是M，一个存储单元所存储的信息的位数是N，则其存储容量为M×N。

例如悉埋孝单片6116芯片的地址线是11位，每个存储单元是8位，则M＝2048，每个存储单元可存8位，即N＝8，液兆所以6116的存储容量=2048×8 = 2K×8 ＝2KB。

参考资料来源：百度百科-储量容量

整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2． 内存芯片类州樱型：（5D=DDR SDRAM）

3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V &VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V &VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V &VDDQ=1.8V）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）

6． 内存bank（储蓄册局丛位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；腊誉3＝8 bank）

7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。

常见SDRAM 编号识别

维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。

(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下：

▲ HY HYUNDAI ------- 现代

▲ MT Micron ------- 美光

▲ GM LG-Semicon

▲ HYB SIEMENS ------ 西门子

▲ HM Hitachi ------ 日立

▲ MB Fujitsu ------ 富士通

▲ TC Toshiba ------ 东芝

▲ KM Samsung ------ 三星

▲ KS KINGMAX ------ 胜创

(2)内存芯片速度编号解释如下:

★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns.

★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns.

★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.

★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns.

★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.

(3) 编 号 形 式

HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj

其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAMD—DDR SDRAM.

b表示电压,V—3.3VU---2.5V空白—5V.

CCC表示容量,16—16M65—64M129—129M256—256M.

dd表示带宽。

f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.

g表示版本号，B—第三代。

h表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。

ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.

jj表示速度，7—143MHZ75—133MHZ8—125MHZ

10P—100MHZ(CL=2)10S—100MHZ(CL=3)

10—100MHZ(非PC100)。

例：1） HY57V651620B TC-75

按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.

2) HY57V653220B TC-7

按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ

全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)：

序号 品牌 国家/地区 标识 备注

1 三星 韩国 SAMSUNG

2 现代 韩国 HY

3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并

4 迈克龙 美国 MT

5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并

6 日电 日本 NEC

7 日立 日本 HITACHI

8 冲电气 日本 OKI

9 东芝 日本 TOSHIBA

10 富士通 日本 F

11 西门子 德国 SIEMENS

12 联华 台湾 UMC

13 南亚 台湾 NANYA

14 茂矽 台湾 MOSEI

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