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自从高通开始采用ARM公版架构以来，大名鼎鼎的骁龙处理器产品线就变得愈加复杂了起来。就拿刚刚发布的HTC One A9上那颗骁龙617来讲，有很多小伙伴不明白它和骁龙615到底有什么区别，所以笔者接下来就为大家比较一下骁龙615、骁龙616与骁龙617这三款芯片。
高通骁龙617 28nm
其实骁龙617是今年9月份随着高通Quick Carge 3.0标准一同发布的新产品，架构与配置都与之前的骁龙616/615有了很大变化。
骁龙615~骁龙617参数详表
CPU
GPU
Modem
Charge
DSP
RAM/Storage
骁龙615
4*A53 1.7GHz
4*A53 1.0GHz
Adreno 405
Gobi xx
2.0
Hexagon
V56
LPDDR3 800MHz
eMMC 4.5
骁龙616
4*A53 1.7GHz
4*A53 1.2GHz
Adreno 405
X5 LTE
2.0
Hexagon
V56
LPDDR3 800MHz
eMMC 4.5
骁龙617
8*A53 1.5GHz
Adreno 405
X8 LTE
3.0
Hexagon
546
LPDDR3 933MHz
eMMC 5.1
我们可以看到，骁龙616基本上就是骁龙615的一个小改版。但骁龙617却弃用了骁龙616/615的「4核+4核架构」，转而采用平行的八核架构，这也就是为什么高通开始称其为真八核的原因所在。
除CPU架构有了大改以外，骁龙617在多个细节处也相对前两款有了大幅提升。
X8 LTE基带芯片
从骁龙620发布开始，高通就开始放弃在基带芯片上采用MSM9x2x这种复杂的命名方式，而是将其根据性能划分为X5、X7、X8等多个品牌。其中骁龙617上搭载的就是X8 LTE基带芯片。
X5 LTE与X8 LTE基带对比表
芯片组
载波聚合
LTE类别
下行峰值
上行峰值
X5 LTE
9x25/9x28 骁龙415/210/616
下行2x10MHz
（骁龙415处理器除外）
Cat 4
150 Mbps
50 Mbps
X8LTE
骁龙425/617/618/620
下行2x20MHz
上行2x20MHz
Cat 7
300 Mbps
100 Mbps
与骁龙616上的X5 LTE相比，X8 LTE因为支持X5 LTE芯片所没有的双向2x20 MHz载波聚合功能，所以其上下行传输速度能达到X5 LTE的一倍之多。
高通Qucik Charge 3.0
骁龙617搭载的Qucik Charge 3.0是高通快速充电技术的第三代产品。相比前代，Quick Charge 3.0应用了高通最新研发的「最佳电压智能协商算法」（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage），该算法可以在手机连接充电器时自动判断最佳充电功率，从而最大化能源效率。
对比QC 2.0时代充电直接从5V跳到9V的做法，QC 3.0现在会以200mV为一个渐进的单位慢慢提升电压。这也就是说一开始充电时电压并不高， 这种智能升压的方法不仅能够缩短充电时间（充电功率连续增加），还能够有效降低充电过程中的热能损耗，从而提高充电效率。据高通介绍，QC3.0的充电速 度较QC2.0最高提升了27%，还可以降低最多45%的充电损耗，可说是非常厉害的技术了。
Hexagon 546数字信号处理器
数字信号处理器（DSP）是一类专门设计来处理数字信号的特殊处理器。虽然DSP在通用计算方面没有CPU的功能全，但是在进行一些特殊的运算（譬如音频信号的采集与解码）时速度要快得多，而且功耗能降得非常低。因此，目前绝大部分手机SoC中都会集成DSP芯片。
骁龙617上的Hexagon 546数字信号处理器，相比骁龙616/615上的Hexagon V50支持更低功耗的传感器，这能够有效提升手机续航能力。另外，Hexagon 546也具备更加优异的音频解码性能，这对于音频爱好者来讲会是个好消息。
eMMC 5.1/双通道内存
最后，骁龙617在存储与内存方面也有了新的升级，其中eMMC 5.1标准与双通道内存技术是我们值得留意的。
简单来讲eMMC就是手机内存的一个接口标准，这个标准越高，能够允许手机内存发挥出的I/O性能也就越强。而eMMC 5.1相对于eMMC 4.5来讲也是一个巨大的跨越，其理论传输带宽达到了600MB/s，而eMMC 4.5只有仅仅只有200MB/s左右。另外，骁龙617还支持了更高频率内存以及双通道技术，理论上能让内存性能更强一些，但由于目前内存的性能已经足够使用，所以其优势并没有太大的体现。
总结
相较于骁龙615/616，骁龙617在CPU架构、基带、DSP、快充技术、I/O标准等地方都进行了大幅提升。所以作为高通2015年攻占中端SoC市场的主要产品，骁龙617的实际体验也未必输给像骁龙810这样的旗舰产品。毕竟现在SoC的性能已经不再是瓶颈，反而是快充技术等「周边」功能更容易让用户感受到体验提升。所以HTC One A9采用了这颗SoC，想来也是十分恰当的。
HTC e8不支持高通3.0快充功能。
①HTC e8余2014年5月上市，采用高通801处理器，1080P屏幕。2GB的RAM，16GB的ROM。
②快充3.0技术是高通于2015年9月发布的。据高通介绍，Quick Charge 3.0首次采用了“最佳电压智能协商”（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法，可在任意时刻实现最佳功率传输，且最大化效率。
据了解，Quick Charge 3.0能在大约35分钟内将一部典型的手机从零电量充电至80%，而不具备Quick Charge的传统移动终端通常需要大致一个半小时的时间。相比两代产品：
1、与Quick Charge 2.0相比，提高快速充电速度最高达27%，或减少功率损耗最高达45%。
2、比Quick Charge 1.0快2倍的充电速度。
充电电压方面，Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四档充电电压，Quick Charge 3.0则以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择。这将允许手机获得恰到好处的电压，达到预期的充电电流，从而最小化电量损失、提高充电效率并改善热表现。
此外，Quick Charge 3.0能够与Quick Charge之前的版本及充电器（包括USB Type-C）前向和后向兼容，并且拥有同样的超快充电速度，以及独立电路，为OEM厂商提供更灵活的选择，还有帮助达到质量和安全标准的UL认证。
首批支持Quick Charge 3.0技术的处理器包括骁龙820、骁龙620、骁龙618、骁龙617和骁龙430。
